蒸發(fā)材料
電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜的一種，是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn)，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)放置于水冷的坩堝中，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜，同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質(zhì)。通過電子束蒸發(fā)，任何材料都可以被蒸發(fā)，不同材料需要采用不同類型的坩堝以獲得所要達(dá)到的蒸發(fā)率。
Goodwill可以提供1~3mm，3~6mm等不同尺寸的蒸發(fā)材料。
單質(zhì)蒸發(fā)材料
高純金屬蒸發(fā)材料
名稱
分子式
純度
名稱
分子式
純度
高純銀
Ag
3N~5N
高純鎳
Ni
3N~5N
高純鋁
Al
3N~5N
高純鉛
Pb
3N~5N
高純金
Au
3N~5N
高純鈀
Pd
3N~5N
高純鉍
Bi
3N~5N
高純鉑
Pt
3N~5N
高純鎘
Cd
3N~5N
高純銻
Sb
3N~5N
高純鈷
Co
3N~5N
高純硒
Se
3N~5N
高純鉻
Cr
3N~5N
高純硅
Si
3N~5N
高純銅
Cu
3N~5N
高純錫
Sn
3N~5N
高純鐵
Fe
3N~5N
高純鉭
Ta
3N~5N
高純鍺
Ge
3N~5N
高純碲
Te
3N~5N
高純銦
In
3N~5N
高純鈦
Ti
3N~5N
高純鎂
Mg
3N~5N
高純鎢
W
3N~5N
高純錳
Mn
3N~5N
高純鋅
Zn
3N~5N
高純鉬
Mo
3N~5N
高純鋯
Zr
3N~5N
高純鈮
Nb
3N~5N
3N~5N
化合物蒸發(fā)材料
氧化物蒸發(fā)材料
名稱
分子式
純度
名稱
分子式
純度
氧化鋁
AL2O3
3N~5N
氧化鈧
Sc2O3
3N~5N
氧化鉍
Bi2O3
3N~5N
氧化釤
Sm2O3
3N~5N
氧化鉻
Cr2O3
3N~5N
一氧化鈦
TiO
3N~5N
氧化鈰
CeO2
3N~5N
二氧化鈦
TiO2
3N~5N
氧化鉺
Er2O3
3N~5N
三氧化二鈦
Ti2O3
3N~5N
二氧化鉿
HfO2
3N~5N
氧化釩
V2O5
3N~5N
氧化銦錫
ITO
3N~5N
三氧化鎢
WO3
3N~5N
氧化鎂
MgO
3N~5N
氧化釔
Y2O3
3N~5N
氧化鈮
Nb2O5
3N~5N
氧化鋯
ZrO2
3N~5N
氧化釹
Nd2O3
3N~5N
氧化鋅
ZnO
3N~5N
一氧化硅
SiO
3N~5N
氧化鎳
NiO
3N~5N
二氧化硅
SiO2
3N~5N
氟化物蒸發(fā)材料
名稱
分子式
純度
名稱
分子式
純度
氟化鋇
BaF2
3N~5N
氟化鑭
LaF3
3N~5N
氟化鈣
CaF2
3N~5N
氟化鎂
MgF2
3N~5N
氟化鈰
CeF3
3N~5N
氟化鈉
NaF
3N~5N
氟化鏑
DyF3
3N~5N
氟化釹
NdF3
3N~5N
氟化餌
ErF3
3N~5N
氟化鍶
SrF3
3N~5N
氟化鉀
KF
3N~5N
氟化釤
SmF3
3N~5N
氟化鐿
YbF3
3N~5N
氟化釔
YF3
3N~5N
其他化合物蒸發(fā)材料
名稱
分子式
純度
名稱
分子式
純度
氮化鋁
AlN
3N~5N
鈦酸鐠
PrTiO3
3N~5N
氮化硼
BN
3N~5N
碳化硅
SiC
3N~5N
鈦酸鋇
BaTiO3
3N~5N
鈦酸鍶
SrTiO3
3N~5N
硫化銅
CuS
3N~5N
氮化硅
Si3N4
3N~5N
碳化鉿
HfC2
3N~5N
氮化鈦
TiN
3N~5N
鈦酸鑭
LaTiO3
3N~5N
硒化鋅
ZnSe
3N~5N
冰晶石
Na3AiF6
3N~5N
硫化鋅
ZnS
3N~5N
摻雜化合物蒸發(fā)材料
名稱
分子式
純度
名稱
分子式
純度
氧化鋁+氧化鈦
Al2O3+TiO2
3N~5N
氧化鈦+氧化鉭
TiO2+Ta2O5
3N~5N
氧化鋁+氧化鋅
Al2O3+ZnO
3N~5N
氧化鈦+氧化鈮
TiO2+Nb2O
3N~5N
氧化鋁+氧化鎂
Al2O3+MgO
3N~5N
氧化鋯+氧化鉭
ZrO2+Ta2O5
3N~5N
氟化鈰+氟化鈣
CeF3+CaF2
3N~5N
氧化鋯+氧化釔
ZrO2+Y2O3
3N~5N
氧化銦+氧化錫
In2O3+SnO2
3N~5N
氧化鋯+氧化鋁
ZrO2+Al2O3
3N~5N
氧化錫功能膜料
SnO2+Pt/Pd
3N~5N
氧化鋯氧化鈦
ZrO2+Ti3O5
3N~5N